（原标题：存储芯片“超级周期”锦牛网，真的来了？）
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近期，全球存储芯片市场持续释放积极信号。
三星、美光、SK海力士等行业巨头相继宣布提价，DRAM产品涨幅普遍达15%-30%，NAND闪存价格亦上调5%-10%，部分厂商甚至暂停报价以应对供应紧张；从市场端看，DDR4内存半年累计涨幅超200%，HDD、SSD、HBM等产品因AI需求爆发陷入供不应求。
与此同时，资本市场反应热烈，美光近一个月股价涨约60%，铠侠、闪迪涨幅超100%，A股相关概念股也随之拉升，展现出市场对存储板块的强烈信心。
在此背景下，摩根士丹利研报指出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进，存储芯片行业或正迎来新一轮产业周期的起点。
半导体行业“风向标”，逻辑生变
存储芯片作为半导体行业的“风向标”，其周期性波动始终是观察产业景气度的关键窗口。
复盘近十年来三轮核心周期可见，存储行业的典型周期时长约为3-4年，且每一轮周期都由不同需求与技术变革驱动：
图源：野村证券
2016-2019年，DDR4技术迭代叠加手机游戏需求爆发，推动存储价格累计涨幅超100%；
2020-2023年，全球疫情催生的远程办公与数据中心需求先拉动价格上涨，后又因需求疲软与产能过剩陷入调整，累计跌幅超50%；
2024年至今，AI算力基建与HBM技术革命成为新引擎，直接改写了传统周期逻辑。
需要注意的是，与前两轮周期不同，本轮上行不再依赖个人消费端需求，而是以企业级AI资本开支为核心——HBM价格年内暴涨500%，DDR4价格涨幅超50%，高端存储产品“量价齐升”的同时，利基市场国产替代也在加速。
更关键的是，AI数据中心对存储产能的“吞噬式需求”，让全产业链呈现罕见的全品类普涨态势：从消费级NVMe SSD、DDR4内存条，到企业级存储系统与大容量HDD，价格同步攀升。
这种结构性变化正在重塑存储产业的传统周期模型。据CFM闪存市场预测，2025年全球存储市场规模有望达到1932亿美元，将创下历史最高记录。存储芯片行业，似乎开启了由AI驱动的全新产业周期。
AI重构存储“供需新规则”
AI技术的爆发式演进不仅是存储需求的“超级引擎”，更在深层次重构全球存储芯片市场的“供需新规则”，推动行业迈入前所未有的变革周期。
从市场供需逻辑来看，AI正以颠覆性力量催生结构性存储缺口。这种缺口并非简单的数量增长，而是由性能与容量双重诉求驱动的质的飞跃。据美光数据显示，AI服务器的DRAM容量需求是普通服务器的8倍，NAND 容量需求则达到3倍，单台AI服务器存储需求更是高达2TB，远超传统服务器的配置标准。
更关键的是，AI大模型“训练-推理-再训练”的正循环，使得数据存储需求呈现持续放大的态势，一个GPU节点就可能消耗数百GB DRAM和数TB闪存，超大规模数据中心的需求规模更是呈指数级扩张。
这种需求爆发在核心项目上体现得尤为极致，以OpenAI的“星际之门”(Stargate)项目为例，该项目与三星、SK海力士达成合作，每月需采购90万片DRAM晶圆，这一数字相当于全球DRAM总产量的近40%，这种规模的单一订单，彻底改变了原有的市场平衡。而四家云巨头对AI相关NAND的订单也已达200EB，远超2026年150EB的原预期。
全球存储市场已然清晰感知到：人工智能正在重构行业运行的底层逻辑锦牛网。
与此同时，需求激增直接推高了存储芯片在AI基建中的成本占比，尤其是高性能存储成为成本核心。以HBM为例，其单颗价格突破5000美元，是传统DDR5内存的20倍，而毛利率却高达50%-60%，远超传统DRAM 30%左右的水平。由于每一块HBM都需针对特定AI GPU定制，客户需提前一年下单锁定产能，这种“定制化+长周期”的订货模式，进一步凸显了其战略价值。
同时，NAND闪存的成本权重也在上升，随着HDD供应短缺导致近线存储加速向QLC SSD迁移，多家超大规模云厂商的大额追加订单，使得企业级SSD成为数据中心建设的刚需，存储芯片已从原来的辅助组件升级为成本核心，成为左右厂商利润的关键变量。
在此背景下，HBM、DRAM与NAND等高性能存储资源成为行业必争的战略资源。从市场规模看，摩根士丹利预测全球HBM市场将从2023年的30亿美元飙升至2027年的530亿美元，年复合增长率超100%；而NAND市场虽起步更早，但AI推理需求的爆发使其焕发新生，从上述提到的四家云巨头订单预测变动能看到，供需缺口显著。
产能端的稀缺性更显突出：美光2026年底前的HBM产能已全部预售完毕，SK海力士12层堆叠HBM3e产品即便良率仅75%，2026年产能也被英伟达、AMD等企业锁定，三星下一代V9 NAND未发布便订单满额，供需紧张态势可见一斑。
存储芯片行业剧变：
价格、产能与技术的全方位革新
供需规则的重构，迅速传导为行业层面的剧烈变革，存储价格飙升成为最直观的市场信号。
从2025年9月以来，全球存储巨头密集发布涨价通知，形成“集体提价潮”：三星宣布第四季度DRAM价格上调15%-30%，NAND价格上调5%-10%；美光更是将存储产品价格拉高20%-30%，并暂停报价一周以消化涨幅；闪迪对全渠道NAND产品提价10%以上，群联恢复报价后涨幅约10%，被视为NAND涨价的明确信号。
此外，现货市场反应更为激烈，DDR4芯片半年累计涨幅超200%，2025年Q2单月涨幅一度达53%，出现与DDR5价格倒挂的罕见现象；NAND晶圆现货价格在10月环比上涨9%-11%，服务器eSSD价格预计四季度涨幅将超10%。
高盛与TrendForce等机构预测，这种涨势将持续至2026年，DRAM四季度环比涨幅或达8%-13%，NAND则为5%-10%，若计入HBM，涨幅将进一步扩大。
进一步来看，价格飙升的背后，是全球存储巨头的产能战略性倾斜。
三星、SK海力士、美光三大寡头摒弃了过去“规模优先”的策略，转向“利润优先”，将先进制程产能集中投向高附加值产品。DRAM领域，三星率先停止DDR4生产，SK海力士计划将DDR4产能压缩至20%，美光与SK海力士年底便停止接收LPDDR4X新订单，所有资源向DDR5与HBM倾斜；NAND市场，厂商纷纷缩减消费级产能，将产能转向企业级3D QLC产品。
这种结构性倾斜导致了市场“冰火两重天”：高端HBM与DDR5供不应求，中低端DDR4因减产速度超过需求下降速度，出现严重供需错配。对此，群联电子CEO直言，这种资本支出转向将导致NAND未来十年供应持续紧张，2026年便将面临严重短缺。
产能倾斜与需求倒逼共同推动了存储技术的加速突破，成为行业变革的核心动力。其中，HBM领域的技术迭代最为迅猛，据了解，2025年全球HBM总产能已增至54万片，同比激增105%，但仍难以填补AI带来的需求缺口。SK海力士已建成HBM4量产体系，预计将占据HBM4市场60%以上份额，三星、美光等厂商也在加紧筹备HBM4量产，力争抢占英伟达、AMD认证先机，而国内相关厂商也在加速突破，国产替代窗口期持续扩大。
总的来看，这场由AI引发的产业新变革，彻底打破了存储行业传统的“供需博弈”周期逻辑，形成了“AI需求牵引-产能高端倾斜-技术迭代加速-价格结构性上涨”的新闭环。从HBM的一芯难求到NAND的从白菜价到紧俏货，从巨头的产能重构到国产厂商的突围，存储芯片市场正经历着新一轮的深度重塑，将存储芯片从标准化大宗商品，重塑为影响算力发展的战略性资源，标志着产业已进入一个由技术迭代与需求爆发共同定义的全新时代。
存储芯片“三维革命”：
技术竞速与巨头格局重塑
当前存储产业的变革不仅体现在市场供需层面，更在技术维度展开着一场深刻的“三维革命”。HBM的带宽竞赛进入白热化阶段，3D NAND的堆叠层数不断刷新上限，HBF技术的横空出世则点燃了新赛道的竞争火种。
这场围绕垂直堆叠、高速互联与架构创新的技术深耕，正重塑全球存储产业的竞争格局，巨头们的每一步布局都关乎未来数年的行业话语权。
HBM：带宽竞赛与标准主导权争夺
HBM作为AI算力的关键核心，其核心突破在于2.5D/3D堆叠和硅通孔(TSV)技术的创新应用。通过将多个DRAM芯片垂直堆叠并与GPU/CPU通过中介层互联，HBM成功突破了传统封装技术的限制。以英伟达H200搭载的HBM3E为例，其带宽高达4.8TB/s，完美解决了AI芯片面临的“内存墙”瓶颈。
然而，HBM的技术迭代速度与竞争激烈程度远超传统存储领域。
2025年4月，JEDEC固态技术协会正式发布HBM4标准（JESD270-4），将这一赛道的技术门槛推向新高度——采用2048位超宽接口，传输速率达8GB/s，总带宽突破2TB/s，较此前SK海力士宣称的1.5TB/s再提升33%。
更关键的是，HBM4将独立通道数量从16个翻倍至32个，同时引入0.7V-0.9V的低电压选项，在性能跃升的同时实现了能效优化，完美适配下一代生成式AI与高性能计算需求。
标准确立背后，是国际巨头的贴身博弈。
从市场格局来看，SK海力士凭借在HBM3和HBM3E领域的领先优势，目前占据全球HBM市场约60%的份额，成为英伟达H100/H200芯片的独家供应商。凭借先发优势持续领跑，SK海力士在2025年3月率先发布12层堆叠的HBM4样品，采用Advanced MR-MUF封装技术锦牛网，单堆栈容量可达64GB，且已启动与英伟达下一代GPU的适配测试，试图延续其独家供应优势。
三星则依托垂直整合能力加速追赶，计划2025年下半年启动HBM4量产，采用4nm逻辑芯片工艺与10nm DRAM制程，目标在良率与成本控制上形成突破，夺回被侵蚀的市场份额。美光虽暂未公开HBM4进展，但通过聚焦汽车与边缘计算领域的HBM3E变体产品，正构建差异化竞争壁垒。其1β工艺LPDDR5X芯片已通过特斯拉认证，在该细分领域市占率达35%。
摩根大通指出，技术突破使得HBM在2027年占DRAM总产值比重将达43%，AI相关应用占DRAM市场规模更是高达53%，技术红利正成为超级周期的核心支撑。
三大巨头角力的同时，国产力量的崛起也在为这场竞争注入新变量，引领着中国在高端存储领域从“技术跟随”向“自主创新”跨越。
3D NAND的堆叠竞赛与现实困境
如果说HBM的核心是“速度革命”，3D NAND的突破则聚焦于“空间革命”。
堆叠层数的持续提升成为厂商比拼的核心指标，这一技术突破意味着在单位面积内可容纳的存储容量再创新高，为AI数据中心需要的大容量存储需求提供了保障。
TechInsights展示了各大厂商在 3D NAND位密度（bit density） 上的演进趋势，横轴是堆叠层数，纵轴是单位面积的存储密度。可以看到，层数越高，代表技术越先进，也能带来更高的存储密度。
能看到，三星、美光、SK海力士、铠侠/WD、Solidigm等存储巨头都在稳步提升3D NAND闪存堆叠层数，整体趋势非常明显：从200层到300层的跨越，将带来更高的容量和更强的竞争力。
谁能把层数和密度拉满，谁就能在NAND这场“堆积木比赛”中领先。未来几年，276层、300层甚至更高层数的NAND将陆续登场，存储市场的竞争只会越来越激烈。
但从产业实际现状来看，在DRAM/HBM需求高涨的聚光灯下，NAND产业的生存空间正被挤压，迫使各大厂商纷纷调整航向，将战略重心转向更具潜力的赛道。
三星的V10 NAND本是技术皇冠上的明珠，在技术层面，三星的V10 NAND计划在2026年10月正式量产，这款产品被视为技术上的重大飞跃，它将具备400层以上的活性层（据悉为430层），接口速度提升至5.6GT/s，旨在与PCIe Gen6主控协同发力数据中心市场。此外，为应对AI应用对高性能存储的需求，三星已重启专为AI优化的Z-NAND开发，目标性能提升最高15倍，功耗降低80%。
尽管技术上高歌猛进，但三星在NAND的产能投资和先进技术导入上显得颇为谨慎，这与其在HBM领域的激进投入形成对比。
据报道，三星与SK海力士计划放缓2025年对先进NAND的投资步伐，将企业资金更多集中于DRAM和HBM领域。例如，三星在西安工厂的第9代NAND转换投资规模很小，并且推迟了在V9 NAND中导入混合键合技术的计划。
耐人寻味的是，三星将混合键合技术在NAND的应用计划搁置，却将同类型技术全力押注HBM量产——资源倾斜背后的战略优先级不言而喻。
而SK海力士凭借对英伟达HBM的近乎垄断，正采取一种 “精耕细作” 的策略发展其NAND业务：在NAND尖端技术研发上持续投入以保持竞争力，但在产能分配和资源倾斜上，确实在一定程度上受到了HBM和DRAM业务的挤压。
SK海力士已在NAND技术上取得重大突破，开始量产全球首款321层2Tb QLC NAND闪存。与之前的产品相比，这款新闪存不仅容量翻倍，还通过架构优化实现了传输速度翻倍和显著的能效提升。公司计划将其首先应用于PC SSD，随后逐步推广至数据中心的企业级SSD和智能手机存储，并明确瞄准了AI数据中心市场。此外，SK海力士也已着手开发400层以上的NAND技术，计划在2025年末完成量产准备。
尽管技术上高歌猛进，但SK海士在产能和资源分配上确实向HBM和DRAM有所倾斜。为了满足AI巨头对HBM的爆炸性需求，SK海力士正在全力扩充HBM产能。
产能转换：由于新建晶圆厂周期长，SK海力士选择通过改造部分现有的NAND产线来增加HBM的后工序产能。这直接表明，在有限的工厂空间内，NAND产能为更高利润的HBM让了路。
战略倾向：SK海力士对NAND的资本支出态度相对保守。这主要是因为当前DRAM（尤其是HBM）的利润率远高于NAND，且消费电子市场对NAND的需求相对疲软。因此，公司将宝贵的资源优先投入到了DRAM和HBM的扩产中。
总而言之，SK海力士并未放弃在NAND领域的竞争，而是选择通过技术突破来维持其市场地位。但在资源的天平上，当前无疑更倾向于将产能和资本分配给正处于风口、利润也更丰厚的HBM业务。
此外，美日存储厂商的NAND业务也在收缩战线与被动承压。其中，美光退出移动NAND市场的决策震动业界。“我们必须在AI内存浪潮中抢占制高点。”其CEO桑杰·梅赫罗特拉在财报会议中的表态，揭开了残酷的算术题：同等资本投入DRAM/HBM的回报率已是NAND的2.3倍。而日本厂商，铠侠与西部数据合并案的反复拉锯，使其在层数竞赛中逐渐掉队，200层以上产能占比稍显不足。
综合来看，各家存储厂商不仅在“层数”上拼命卷，还在架构设计上分出流派。未来，厂商需在技术突破与市场需求间精准把控，同时探索3D NAND与HBM、AI存储的协同应用，推动存储行业向更高效率、更低成本方向发展。
HBF：NAND产业的“HBM时刻”
面对HBM在DRAM领域取得的巨大成功，NAND厂商正在积极寻求技术突破，高带宽闪存(HBF)技术应运而生，被视为NAND产业的“HBM时刻”，正点燃NAND行业的“第二增长曲线”竞争。
据了解，HBF的技术原理与HBM类似，旨在通过颠覆性架构设计打破了传统NAND的性能瓶颈——采用16颗核心芯片垂直堆叠，通过硅通孔（TSV）技术互连，并叠加专用逻辑芯片实现多子阵列并行访问，使单堆叠单元容量达到512GB，是8-Hi HBM3E的21倍。其底层基于SanDisk的BICS 3D NAND架构，并采用CMOS直接键合技术，将存储阵列与逻辑芯片紧密集成，为带宽提升奠定硬件基础。尽管HBF的单比特访问延迟仍无法与DRAM相比，但其主要面向高吞吐量、读取密集型的AI推理任务。
HBF的技术定位精准填补了市场空白。针对AI推理场景对“高带宽、大容量、低成本”的需求，SanDisk提出“匹配HBM带宽、提供8-16倍容量”的目标，虽未公开具体带宽数据，但通过并行访问架构，有望将延迟降至传统SSD的1/5以下，成为HBM在推理场景的理想补充。同时，为降低客户迁移成本，HBF采用与HBM相似的机械与电气接口，仅需小幅协议调整即可适配现有GPU平台，这种“兼容创新”策略显著提升了技术落地效率。
从行业现状来看，一场围绕HBF的生态卡位战已悄然打响。
作为SanDisk的母公司，西部数据正将HBF与自身的Ultrastar SSD产品线整合，计划2026年推出首款搭载HBF的企业级存储解决方案，目标拿下北美云服务商30%以上的推理节点存储订单。三星与铠侠也加速跟进，分别启动“High-Bandwidth NAND”与“Flash-IO Accelerator”项目，前者侧重与HBM的协同调度，后者聚焦低功耗优化，试图在技术路线上形成差异化。SanDisk则通过联手SK海力士推动HBF成为开放标准，组建包含云服务商与芯片厂商的技术顾问委员会，试图以生态主导权压制竞争对手。
在NAND技术红利消退与需求代际更迭的叠加背景下，当HBF技术尝试打通“存算边界”，这场NAND的生存游戏再次印证了这个更深刻的产业变局——存储芯片的战场，终将从层数竞赛升维至架构革命。
从HBM的带宽竞速到3D NAND的层数突破，再到HBF的架构创新，存储产业的“三维革命”本质是一场技术深耕的持久战。国际巨头凭借多年技术积累仍占据主导地位——三星的垂直整合能力、SK海力士的HBM市占优势、美光的汽车存储布局，共同构成了现有产业格局的基石。
未来，技术话语权将成为竞争的核心。HBM4标准的落地将引发新一轮产能竞赛，3D NAND的混合键合技术可能成为400层以上产品的标配，HBF则需要在写入寿命与延迟控制上实现突破。
对于厂商而言，单纯的层数或带宽比拼已不足够，只有将技术创新与生态绑定、场景适配相结合，才能在AI驱动的存储新周期中站稳脚跟。而每一次技术突破，都在重新定义存储与算力的边界。
周期预判：结构性机遇下的复苏与博弈
当前存储芯片市场的强劲涨势，尤其是HBM的爆发性增长，让“超级周期”成为热议焦点。
对于存储行业的周期走向，分析机构与巨头的预判共同指向“非典型复苏”，即这并非传统3-5年库存周期的简单重复，而是AI驱动的结构性增长与行业固有周期属性交织的新格局，但“超级周期”的成色仍取决于多项因素的考量与博弈。
首先，驱动此次周期的核心“定数”在于AI需求引发的产业逻辑重构。这不仅是需求的扩张，更是需求的结构性变革。存储巨头们的战略重心已清晰地向HBM、高速DDR5等高附加值产品倾斜。同时，AI服务器和数据中心的需求激增，也推动了存储芯片市场的发展。为满足AI巨头们如OpenAI“星际之门”项目的庞大需求，全球HBM产能正被加速构建。这种产能的“战略转移”导致传统存储类别如DDR4面临供给紧张，价格出现异常上行。
Yole Group数据显示，2025年全球存储收入有望达2000亿美元，同比增长18%，AI服务器的eSSD、服务器DRAM与HBM需求构成核心拉动力。而摩根士丹利指出，“带宽决定性能”的技术范式转移，使企业级资本开支的刚性远超消费端波动，为周期长度与强度提供了关键支撑。
其次，原厂策略调整与周期属性，构成了平衡周期节奏的核心“变数”。经历过2023年库存危机后，三星、SK海力士、美光等巨头转向“精准减产+高端倾斜”策略，DDR4等传统产能收缩与AI存储需求扩张形成结构性失衡，推动四季度DDR5 RDIMM价格上涨10%-15%。这种供需调节使行业从全面过剩转向紧平衡，但消费端疲软仍存，智能手机存储升级放缓可能压制中低端产品涨幅，限制周期的全面爆发。
另外，地缘政治与供应链风险，则为周期增添了最大不确定性。国际巨头在HBM与先进封装领域的技术垄断，叠加供应链限制，使国产企业虽获导入窗口，却难以快速突破高端环节。国产替代虽加速，但HBM领域的技术代差仍可能分流周期红利。
更关键的是，稀土禁运、先进设备和材料出口管制、关税提升等制裁措施或将为存储芯片产业周期注入显著不确定性，既可能延缓复苏节奏，也可能加速结构性变革。贸易制裁在短期内可能扰乱正常的市场供需和库存消化节奏，甚至引发囤货潮，给产业周期的判断带来变数。从中长期看，地缘政治因素已成为影响存储芯片产业格局的重要变量，传统的周期模型需要纳入制裁等政策性风险。
整体来看，断言单一的“超级周期”或许过于乐观，存储市场更可能步入一个“结构性超级周期”，其特点是AI驱动的高性能存储芯片领域持续高热，而传统市场则在其涟漪效应中波动前行。
短期来看，由AI需求和高附加值产品产能挤占带来的涨价动力依然强劲。但长期而言，行业最终会走向新的供需平衡。此次复苏的最终形态，将取决于AI需求的持久力、全球产能分配的调整，以及地缘政治等多重变量的复杂互动。
对于行业参与者而言，竞争的核心已不再是简单的产能扩张，而是在这场由AI引领的变革中，能否精准把握技术演进与市场格局重构的节奏，做出前瞻性的战略布局。于全球巨头而言，这是巩固技术溢价的机遇；对国产企业来讲，这也是缩小差距的关键窗口，存储周期的最终形态，将由技术突破速度、需求持久力与供应链博弈结果共同书写。
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